• JGDN108B
    JGDN108B
    单晶异质结双面双玻组件
    415W~445W

    • 采用182mm，N型HJT半片电池

    • 组件功率高达445W，组件转换效率达到22.70%

    • 采用优异的MBB半片电池技术减少隐裂及切面损伤

    • 正面输出功率比TOPCon组件高4.1%，背面输出功率比TOPCon组件高14.76%

    • 无BO-LID,优异的抗LeTID和抗PID性能
      低功率衰减，更高的功率输出

    • 温度系数为-0.243%/℃

    产品优势
    甘肃中国·BB贝博艾弗森股份有限公司
    中国甘肃省酒泉市肃州区经济技术开发区昆仑路9号

    苏州中国·BB贝博艾弗森科技有限公司
    中国江苏省苏州市吴江经济开发区采字路168号

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